Microstructure Physics

 

Applied Surface Physics and Micro Technology

Übungsaufgaben zur Elektronikvorlesung
SS 06 Uni Mz

 

G. Wiederholung  17. Juli 2006, 18 Uhr

 

1. Emitterschaltung: Eine Stromquelle versorgt einen npn-Kleinsignaltransistor von b=370 mit einem Basisstrom von 10 µA. Die Betriebspannung sei 5 Volt und der Kollektor-Vorwiderstand betrage 1 kohm. Skizzieren sie die Schaltung und berechnen sie das Potential am Kollektor (Ausgangsspannung). Ersetzen sie die Stromquelle durch einen passenden Spannungsteiler.

 

2. Ein n-Kanal MOSFET habe eine Schwellenspannung von Uth= 2 Volt. Ist das also ein Depletion- oder Enhancement-Typ? Das Gate wird nun mit dem Drainkontakt verbunden und dieser über einen 100 ohm Widerstand an Ub= 10 Volt angelegt. Wie wirkt die Schaltung qualitativ? Wie groß ist der Strom durch den FET, wenn µ=1000 cm2/Vs, W= 100 µm, L= 2µm und cOX = 10-9 As/(Vcm2) ist?

 

3. Dioden-Transistor Schaltung: An den Eingang der nebenstehenden Schaltung wird eine symmetrische, sinusförmige Eingangsspannung von 1Volt Amplitude angelegt. Skizzieren sie den Verlauf der Ausgangsspannung. Bemessen sie Rc und Ub.

4. Operationsverstärker: Berechnen sie die Gleichspannungsverstärkung der nebenstehenden Schaltung für R1=1,05 kohm und RG= 22 kohm. Wie groß ist der Ausgangsspannungsbereich, wenn im OpAmp eine AB Bipolarendstufe arbeitet? Berechnen sie die 3 dB Eckfrequenz für C= 3,3 nF. Welche Gleichspannungskennlinie würden sie erhalten, wenn statt RG und C eine Basis-Emitterdiode eingesetzt würde?

5. Einfache Logik: Erstellen sie die Wahrheitstabelle der Schaltung.
Was ändert sich, wenn S geschlossen wird?